郝跃院士为师生讲解“半导体芯片与集成电路的创新发展”

时间:2022-11-22

11月21日下午,中国科学院院士郝跃应邀做客我校“杨钟健学术讲座”,为师生作了题为“半导体芯片与集成电路的创新发展”的报告。校党委常委、副校长张远军代表学校致欢迎辞,并向郝跃院士赠送了“杨钟健学术讲座”纪念牌。学校相关部门负责人和师生代表听取了报告。报告由科技处负责人主持。

报告中,郝跃院士介绍了全球信息科学发展趋势、集成电路工艺和半导体器件进展、光刻机制造技术的主要难点、后摩尔时代新器件基础研究等相关情况,并以本团队标志性成果为例进行说明,包括硅基高电子迁移率材料和器件、陡峭亚阈值摆幅器件—负电容晶体管。他详细介绍了宽禁带半导体材料及生长设备、电子器件和集成电路、光电与传感器件的研究现状和发展趋势,并认为,应突出第三代(宽禁带)半导体器件的特色和优势。他表示,超宽禁带半导体材料已成为大国博弈焦点,集成电路技术也表现出芯片三维集成技术发展明显加快、更加注重异质异构集成电路芯片的趋势,面对当前错综复杂的形式,高校应推动学科建设与人才培养,坚持市场为导向的新型举国体制。

报告结束后,郝跃院士与参会师生进行了交流,勉励青年科技工作者在科研工作中注重细节,从平凡做起,日积月累,力戒浮躁,为社会主义现代化建设奉献青春。


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