职称：讲师/硕士生导师
研究方向：
1. 纳米半导体电子器件
◎低功耗晶体管设计（亚5 nm器件、量子输运模拟）
◎新型二维材料界面性质与超短沟道器件性能极限研究
2. 纳米电磁波吸收屏蔽材料
◎高性能纳米复合吸波材料（军事隐身、航天应用）
3. 二维铁电非易失存储器件
◎新型铁电材料界面性质与器件性能优化
科研项目情况：
1. 国家自然科学基金青年项目：基于新型III-VI族二维铁电半导体的晶体管界面性质及性能极限，项目负责人。
2. 陕西省教育厅专项科研计划项目：亚10纳米尺度的新型IV和V族烯（烷）晶体管性能极限的第一性原理研究，项目负责人。
3. 国家自然科学基金面上项目：V族烯和新型IV 族烯的界面性质、载流子迁移率以及器件的表演极限；主要参与人。
4. 国家自然科学基金青年项目，氮化钛基新型光阴极研究；主要参与人。
5. 国家自然科学基金面上项目:高迁移率的二维原子晶体的能带调控，器件模拟，与多体效应；主要参与人。
6. 国家重大研究计划，低维材料的高效能量转换与器件基础；主要参与人。
教学课程：
1. 本科生课程：
《固体物理学》（专业核心课，54课时）
《复变函数与数理方程》（学科平台课，54课时）
《化合物半导体器件》《现代显示技术》（专业选修课，各36课时）
2. 研究生课程
《半导体光电子器件》《光电子学与光电子器件》（专业选修课，各36课时）
代表性成果：
1. 科研荣誉
主持国家自然科学基金青年项目1项，参与国家级项目4项
以第一/通讯作者发表SCI论文12篇（一区TOP 5篇）
2. 论文成果
(1) Liu, JC, Xu, LY, Shao, C, Liu, ZL, Zhang, GW, Guan, Y, Zhang, YY, Lei, XY, Dai, Y, Zhao, W, Yan, JF, Zhang, H, Synergistic dielectric and magnetic effects boosting electromagnetic wave absorption in Flower-Ball-like VSe2@CoFe2O4 composites, Chemical Engineering Journal, 2024, 499,156244.（SCI一区top，A类）
(2) Caiming Wang, Yue Jia, Huiyan Zhou, Mengchen Yang, Jianan Wang, Xuelei Sun, Chunxue Zhai, Han Zhang, Lili Zhao, Natural mechanical energy-induced porous PANI/(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.1Ti0.9)O3/PVDF excellent piezoelectric-catalyzed degradation of dyes, Chemical Engineering Journal,506 (2025) 159263.（SCI一区top，A类）
(3) Qijie Wang, Han Zhang*, et al. NiO/NiFe2O4@N-doped reduced graphene oxide aerogel towards the wideband electromagnetic wave absorption: Experimental and theoretical study[J], Chemical Engineering Journal, 2022,430(2),132814.（SCI一区top，A类，他引数：56）
(4) Leyao Xu, Han Zhang* et al.,A novel S-scheme g-C3N4/Mn(VO3)2 heterojunction photocatalyst for its superior photocatalytic degradation of broad－spectrum antibiotics[J],Journal of Alloys and Compounds, 2023,936,168163. （SCI二区top，A类，他引数：22）
(5) Wei Wang#, Han Zhang#, et al. A novel MOF-drived self-decomposition strategy for CoO@N/C-Co/Ni-NiCo2O4 multi-heterostructure composite as high－performance electromagnetic wave absorbing materials[J],Chemical Engineering Journal,2021,426,131667.（SCI一区top，A类，他引数：47）
(6) Han Zhang*, ...Jing Lu*，et al. Sub-5 nm monolayer MoS2 transistors toward low-power devices[J], ACS Applied Electronic Materials, 2021,3,4,1560–1571.（他引数：45）
(7) Leyao Xu, ...Han Zhang*，et al. Performance limits exploration of sub-5 nm monolayer germanane transistors: A first-principle quantum transport simulation[J]. Journal of Applied Physics, 2024, 135(13),134303.
联系方式（邮箱/QQ）：email：hanzhang@nwu.edu.cn QQ:623920720
个人主页链接：http://faculty.nwu.edu.cn/HanZhang/zh_CN/index.htm
欢迎感兴趣的本科生、研究生加入我的课题组！
